2018華為大會(huì) 西部數(shù)據(jù)人工智能移動(dòng)化

      2018年10月10日-12日，以“+智能，見未來(lái)”為主題的華為全聯(lián)接大會(huì)在上海世博展覽館中心召開。作為全球領(lǐng)先的數(shù)據(jù)與科技廠商，西部數(shù)據(jù)受邀參會(huì)，向業(yè)界展示了其在人工智能移動(dòng)化、智慧城市、智慧運(yùn)輸、邊緣計(jì)算和企業(yè)云五個(gè)方面的存儲(chǔ)解決方案。并且?guī)?lái)了全球首發(fā)的96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤，旨在加速實(shí)現(xiàn)人工智能(AI)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)、支持多個(gè)攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機(jī)及計(jì)算設(shè)備的高要求應(yīng)用。

      在西部數(shù)據(jù)的人工智能移動(dòng)化展區(qū)，我們也看到了其著重展示的這款西部數(shù)據(jù)最新發(fā)布的iNAND MC EU321嵌入式閃存盤。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的UFS 2.1接口以及西部數(shù)據(jù)公司iNAND SmartSLC 5.1架構(gòu)，確保設(shè)備使用存儲(chǔ)容量接近98%時(shí)，EU321同樣可以保持巔峰的寫入性能，基于SLC緩沖區(qū)和TLC存儲(chǔ)區(qū)在SmartSLC Gen 5.1架構(gòu)下順序?qū)懭胨俣葹?50MB/s，隨機(jī)IOPS寫速度達(dá)到52K，其性能適用于高端旗艦手機(jī)機(jī)型，容量從32GB到256GB。96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤的核心技術(shù)改進(jìn)了數(shù)據(jù)碎片收集和整理，相較于傳統(tǒng)架構(gòu)速度優(yōu)勢(shì)非常明顯。

       據(jù)展區(qū)現(xiàn)場(chǎng)的工作人員介紹，iNAND MC EU321的厲害之處主要還是集中在iNAND SmartSLC 5.1緩存架構(gòu)上，西數(shù)通過在TLC和內(nèi)存數(shù)據(jù)操作之間設(shè)置一個(gè)SLC buffer層，通過SLC的緩沖達(dá)到非常高的爆發(fā)式訪問性能，數(shù)據(jù)緩存下來(lái)之后，通過西數(shù)在固件中寫好的算法機(jī)制，閃存會(huì)自動(dòng)對(duì)TLC的數(shù)據(jù)塊進(jìn)行整理，在減少碎片化的同時(shí)把SLC緩存里的數(shù)據(jù)寫入到TLC里。與此同時(shí)，因?yàn)橛羞@樣一個(gè)SLC緩存架構(gòu)存在，西部數(shù)據(jù)的NAND閃存盤更不容易出現(xiàn)那種固態(tài)存儲(chǔ)比較容易出現(xiàn)的滿寫性能急劇滑坡。一般來(lái)說(shuō)，閃存往往在寫滿80%~90%的時(shí)候順序?qū)懭胄阅芫蜁?huì)發(fā)生斷崖式下降，甚至可能會(huì)比正常情況下下降超過一半多，而iNAND MC EU321則到98%寫滿的時(shí)候才會(huì)出現(xiàn)大概20%的性能損耗。

       隨著智能手機(jī)、平板電腦、個(gè)人電腦以及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備支持全新的應(yīng)用程序和服務(wù)，消費(fèi)者與家人、朋友及周圍世界的溝通方式正在發(fā)生改變。多鏡頭高分辨率相機(jī)、人工智能、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和虛擬現(xiàn)實(shí)、機(jī)器學(xué)習(xí)以及深度學(xué)習(xí)都離不開高速且低延遲的數(shù)據(jù)訪問。西部數(shù)據(jù)公司為設(shè)備制造商、芯片組生產(chǎn)商以及整個(gè)移動(dòng)生態(tài)系統(tǒng)提供支持，幫助他們打造優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)，為移動(dòng)用戶提供身臨其境的全新體驗(yàn)。西部數(shù)據(jù)公司推出的iNAND 嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器(EFD)擁有豐富的產(chǎn)品種類，可幫助OEM應(yīng)對(duì)高低不同層次的市場(chǎng)需求。西部數(shù)據(jù)公司支持最新的UFS工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口，便于OEM和應(yīng)用程序開發(fā)人員進(jìn)行相應(yīng)的設(shè)計(jì)并打造頂級(jí)體驗(yàn)。此外，iNAND業(yè)界領(lǐng)先的寫入速度可滿足高分辨率攝影和視頻的需求。

　　此次，西部數(shù)據(jù)除了展示iNAND MC EU321嵌入式閃存盤外，也展示了其他幾款產(chǎn)品。iNAND MC EU311a集成UFS 2.1接口，可支持需要出色讀/寫性能的應(yīng)用，如多鏡頭高分辨率相機(jī)、慢動(dòng)作視頻、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和虛擬現(xiàn)實(shí)、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)以及深度學(xué)習(xí)。第五代SmartSLC技術(shù)能夠?yàn)閿?shù)據(jù)密集型高端和旗艦移動(dòng)設(shè)備提供超強(qiáng)寫性能，打造出色移動(dòng)體驗(yàn)。

　　iNAND MC EM131b 集成第四代 SmartSLC 技術(shù)，并經(jīng)過優(yōu)化，性能超強(qiáng)，持久耐用。集成式e.MMC接口可用于中高端智能手機(jī)以及二合一、可拆卸式輕薄計(jì)算設(shè)備，進(jìn)行照片和視頻拍攝、游戲和快速文件傳輸。 iNAND