2018華為大會 西部數(shù)據(jù)人工智能移動化

      2018年10月10日-12日，以“+智能，見未來”為主題的華為全聯(lián)接大會在上海世博展覽館中心召開。作為全球領先的數(shù)據(jù)與科技廠商，西部數(shù)據(jù)受邀參會，向業(yè)界展示了其在人工智能移動化、智慧城市、智慧運輸、邊緣計算和企業(yè)云五個方面的存儲解決方案。并且?guī)砹巳蚴装l(fā)的96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤，旨在加速實現(xiàn)人工智能(AI)、增強現(xiàn)實(AR)、支持多個攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機及計算設備的高要求應用。

      在西部數(shù)據(jù)的人工智能移動化展區(qū)，我們也看到了其著重展示的這款西部數(shù)據(jù)最新發(fā)布的iNAND MC EU321嵌入式閃存盤。該產(chǎn)品采用先進的UFS 2.1接口以及西部數(shù)據(jù)公司iNAND SmartSLC 5.1架構，確保設備使用存儲容量接近98%時，EU321同樣可以保持巔峰的寫入性能，基于SLC緩沖區(qū)和TLC存儲區(qū)在SmartSLC Gen 5.1架構下順序寫入速度為550MB/s，隨機IOPS寫速度達到52K，其性能適用于高端旗艦手機機型，容量從32GB到256GB。96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤的核心技術改進了數(shù)據(jù)碎片收集和整理，相較于傳統(tǒng)架構速度優(yōu)勢非常明顯。

       據(jù)展區(qū)現(xiàn)場的工作人員介紹，iNAND MC EU321的厲害之處主要還是集中在iNAND SmartSLC 5.1緩存架構上，西數(shù)通過在TLC和內(nèi)存數(shù)據(jù)操作之間設置一個SLC buffer層，通過SLC的緩沖達到非常高的爆發(fā)式訪問性能，數(shù)據(jù)緩存下來之后，通過西數(shù)在固件中寫好的算法機制，閃存會自動對TLC的數(shù)據(jù)塊進行整理，在減少碎片化的同時把SLC緩存里的數(shù)據(jù)寫入到TLC里。與此同時，因為有這樣一個SLC緩存架構存在，西部數(shù)據(jù)的NAND閃存盤更不容易出現(xiàn)那種固態(tài)存儲比較容易出現(xiàn)的滿寫性能急劇滑坡。一般來說，閃存往往在寫滿80%~90%的時候順序寫入性能就會發(fā)生斷崖式下降，甚至可能會比正常情況下下降超過一半多，而iNAND MC EU321則到98%寫滿的時候才會出現(xiàn)大概20%的性能損耗。

       隨著智能手機、平板電腦、個人電腦以及物聯(lián)網(wǎng)設備支持全新的應用程序和服務，消費者與家人、朋友及周圍世界的溝通方式正在發(fā)生改變。多鏡頭高分辨率相機、人工智能、增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實、機器學習以及深度學習都離不開高速且低延遲的數(shù)據(jù)訪問。西部數(shù)據(jù)公司為設備制造商、芯片組生產(chǎn)商以及整個移動生態(tài)系統(tǒng)提供支持，幫助他們打造優(yōu)質的產(chǎn)品和服務，為移動用戶提供身臨其境的全新體驗。西部數(shù)據(jù)公司推出的iNAND 嵌入式閃存驅動器(EFD)擁有豐富的產(chǎn)品種類，可幫助OEM應對高低不同層次的市場需求。西部數(shù)據(jù)公司支持最新的UFS工業(yè)標準接口，便于OEM和應用程序開發(fā)人員進行相應的設計并打造頂級體驗。此外，iNAND業(yè)界領先的寫入速度可滿足高分辨率攝影和視頻的需求。

　　此次，西部數(shù)據(jù)除了展示iNAND MC EU321嵌入式閃存盤外，也展示了其他幾款產(chǎn)品。iNAND MC EU311a集成UFS 2.1接口，可支持需要出色讀/寫性能的應用，如多鏡頭高分辨率相機、慢動作視頻、增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實、人工智能、機器學習以及深度學習。第五代SmartSLC技術能夠為數(shù)據(jù)密集型高端和旗艦移動設備提供超強寫性能，打造出色移動體驗。

　　iNAND MC EM131b 集成第四代 SmartSLC 技術，并經(jīng)過優(yōu)化，性能超強，持久耐用。集成式e.MMC接口可用于中高端智能手機以及二合一、可拆卸式輕薄計算設備，進行照片和視頻拍攝、游戲和快速文件傳輸。 iNAND