三星搶先推10nm工藝 2017年初量產(chǎn)

　　【手機中國 新聞】11月19日消息，據(jù)國外媒體報道，近日三星正式宣布已經(jīng)成功研發(fā)10nm工藝，在進度上超越了對手臺積電和芯片巨頭英特爾。

三星搶跑10nm工藝技術(shù)

　　三星表示，已經(jīng)成功研發(fā)出新一代S-RAM，該模塊基于10nm工藝技術(shù)，并擁有128Mb的傳輸速度，比D-RAM要快很多。據(jù)稱10nm工藝比14nm工藝更具優(yōu)勢，其面積較小，空間占用減少了37.5%。該公司將于明年的國際固態(tài)電路會議(ISSCC)期間展示這一新技術(shù)。

　　S-RAM用于CPU高速緩存，高速和低功耗是維持其高水平性能的關(guān)鍵。三星將于2017年初量產(chǎn)新一代基于10nm工藝的S-RAM模塊，而臺積電和Intel目前的S-RAM模塊，仍然使用16nm和14nm工藝，但它們在2017年也會竭力推行10nm工藝，三星目前暫時領(lǐng)先一步。

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